DRAM为何同时推进微缩与堆叠？

  • 美光正并行推进两条路线：继续缩小DRAM单元，同时研发垂直堆叠存储单元的3D-DRAM，技术演进由平面微缩延伸至立体结构。
  • 已落地的是采用EUV光刻的1-gamma节点量产；管理层计划进一步采用混合键合和高数值孔径EUV，支持后续微缩。
  • 美光因制造流程复杂及成本因素，决定不再推进4F2 DRAM，过渡阶段继续缩小6F2结构。工艺选择同时受到制造难度与成本约束。

HBM升级为何抬高先进封装的重要性？

  • 美光的HBM研发目标是提高带宽、降低每个token的功耗，升级方向同时指向数据传输能力与能效。
  • 除现有标准架构外，公司还在开发定制HBM、垂直堆叠HBM芯片的Vertical HBM，以及垂直边缘推理内存VEIM，探索多种存储架构。
  • 美光认为，这些架构均需要高度复杂的先进封装，混合键合和温度控制等技术将不可或缺。封装能力因此成为支持架构升级的关键环节。

NAND升级会怎样增加设备需求？

  • 层数提升与连接工艺变化同步推进：当前量产G9为276层，美光计划开发超过400层的G11，并采用混合键合连接晶圆，目标在2027年下半年量产。
  • 面向AI级NAND，美光还在开发SLC方案，以及利用硅通孔和逻辑基底芯片的架构，为加速器提供靠近计算端的大容量存储层。
  • 若SLC需求扩大，每单位存储容量所需晶圆数会比TLC或QLC高数倍。报告援引泛林测算：NAND比特需求中有1%转向SLC，就需要额外2%的晶圆产能，进而支持设备需求。

哪些日本设备环节受益，节奏由什么决定？

  • 高盛预计，混合键合由图像传感器及部分3D-NAND厂商扩展至DRAM和更多NAND厂商，将扩大东京电子键合设备、Disco高洁净规格切割与研磨设备、荏原CMP抛光设备的业务机会。
  • NAND层数增加带来另一条需求链：高盛认为，批量原子层沉积工序增加及设备代际更替将显著利好Kokusai Electric，并扩大东京电子低温刻蚀设备的潜在市场。
  • 需求决定技术路线转化为设备业务的时间。报告明确指出，实际量产时点很大程度上取决于未来需求趋势；需求变化会影响上述工艺升级的推进节奏。