返回全部内容存储涨价出现分化,美银看好韩厂追加股东回报
DRAM价格继续走强,消费级NAND却趋于平淡。美银认为,供给向HBM和服务器倾斜、渠道库存偏低,有助于延长景气周期;海力士与三星的现金流增长,则可能推动追加分红和回购。
原始来源:BofA Global Research本站首次发布:原始资料日期:
核心观点美银看好存储供给紧张与现金流增长带来的股东回报空间,但价格强势集中于DRAM及企业级需求,消费级NAND和出口环比数据已有分化。
追加分红和回购的空间从哪里来?
- 美银将股东回报视为近期催化剂:海力士在近期40万亿韩元回购后,可能追加特别年末现金股息;三星则可能启动新回购。两家公司可能在10月28—29日业绩会上讨论相关安排,目前均未公布新方案。
- 支撑判断的是现金流与估值的组合。按美银对2026年第四季度的年化自由现金流口径,海力士和三星分别超过200万亿、300万亿韩元,对应潜在年度股东回报分别超过100万亿、150万亿韩元。这是以当季运行水平折算的年度规模。
- 美银假设海力士回购与分红占比为60:40,三星为40:60,差异来自股东结构。该行同时指出,多数DRAM公司按2026—2027年盈利计的市盈率约为3—5倍,低于更广泛的AI半导体同业。
为什么美银认为这轮周期不同于2018年?
- 关键差别在供给配置与库存。产能转向HBM和服务器DRAM,推高传统DRAM价格;当前渠道库存普遍偏低,而2018年第四季度云计算热潮后库存异常高。美银据此预计,存储供给相对需求偏紧的状态可能延续至2028年。
- 长期订单也提供了支撑。美银预计三星即使在长期协议下,季度合约价仍有上行空间,并将继续获得高价交付至2029—2030年的长期订单;其偏乐观判断建立在紧供给和长期采购持续的基础上。
两家韩厂的HBM增长路径有何不同?
- 海力士重点是12层HBM4放量。美银预计,到2026年第四季度末,该产品将占其HBM销售额的50%以上;新增8层HBM4生产则取决于英伟达是否支付约10%的每比特溢价,或其利润率能否高于12层产品。客户需求要转成增量供给,价格和利润率是门槛。
- 三星重点是提升HBM份额,并优先扩张12层HBM4、随后于2027年推进HBM4e,而非扩大8层HBM产能。其1c制程迁移也将以HBM为重心,配合平泽P4加快爬坡和P5建设,扩产方向集中在高端产品。
价格和出口数据都在支持乐观判断吗?
- DRAM仍强:DDR5现货价10月至报告时上涨5%—6%;正在谈判的第四季度DRAM合约价,大致符合美银环比上涨5%—10%或更高的预期,高端LPDDR5领涨。现货走强与合约谈判方向一致,是该行看好后续指引的依据。
- NAND明显较弱。美银预计PC和智能手机NAND合约价涨幅很小,企业级SSD则可上涨中个位数百分比。512Gb NAND晶圆现货月均价在9月和10月各跌约5%—6%,高价位与继续涨价已是两回事。
- 出口同样有两面:韩国10月前20天半导体出口为275亿美元,同比增长222.5%,但较9月同期下降19%。同比仍强支持景气判断,环比回落则约束了对短期动能持续加速的解读。