Bernstein: La demanda de servidores sostiene las subidas de precios de la memoria, mientras se acelera la caída de los precios spot de las obleas NAND

¿Qué fuerza tendrán las subidas de precios de la DRAM en el cuarto trimestre?

A partir de los precios contractuales ponderados de octubre, Bernstein estima que los precios de la DRAM convencional en el cuarto trimestre de 2026 serán un 8,3% superiores a los del tercer trimestre, ligeramente por encima de la previsión de la firma, aunque podrían quedar por debajo de las expectativas más recientes del 10%–15%. Por aplicación, se prevé que los precios de la DRAM para PC y servidores suban alrededor de 12% y 11%, respectivamente, mientras que los de la DRAM para teléfonos subirían solo alrededor de 2%.
Esta estimación excluye la memoria de alto ancho de banda (HBM). Como los precios de la HBM se determinan principalmente mediante contratos anuales y son relativamente estables, y la combinación de productos varía entre fabricantes, los aumentos de los precios medios de venta que las empresas comuniquen en la práctica pueden diferir.

Los envíos de PC siguen contrayéndose y las existencias de DRAM para PC alcanzaron 7–10 semanas en octubre; los fabricantes de teléfonos también han reducido sus objetivos de envíos y han aumentado los días de inventario, por lo que las negociaciones de compra no son urgentes. Sin embargo, la demanda de servidores basta para absorber la capacidad liberada por los PC y los teléfonos, manteniendo la escasez general.
Los precios de los servidores también tienen límites: los acuerdos a largo plazo de los proveedores de servicios en la nube fijan topes de precios, mientras que los fabricantes de equipos para servidores suelen aceptar subidas del 15%–20%, lo que impulsa al alza los precios generales de la DRAM para servidores en el cuarto trimestre.
Las señales del mercado spot son dispares: en octubre, los precios spot de los módulos DDR 5 para servidores cayeron un 1,7% intertrimestral, pero seguían un 80% por encima de los precios contractuales. Bernstein considera que la caída probablemente está relacionada con los ajustes de inventario de los distribuidores de etapas posteriores.

En octubre, los precios spot de las obleas NAND volvieron a caer alrededor de un 12% intertrimestral y se situaron un 19%–39% por debajo de los precios contractuales; los precios contractuales de las obleas se mantuvieron sin cambios respecto de septiembre, debido a la reducción de la demanda de consumo y a que los fabricantes de módulos siguieron recortando pedidos.
Una muestra que solo incluye obleas y productos de almacenamiento móvil apunta a una subida intertrimestral del 3% en los precios de NAND en el cuarto trimestre. Sin embargo, los SSD empresariales ya representan más de la mitad de los ingresos totales de NAND, y Bernstein prevé que sus precios contractuales suban más de un 20% intertrimestral en el cuarto trimestre; al incluirlos, el aumento de los precios generales de NAND podría alcanzar alrededor de un 15%.
TrendForce prevé que los precios contractuales de la NAND móvil suban un 5%–9% intertrimestral en el cuarto trimestre; a medida que los fabricantes de dispositivos tardan en agotar sus inventarios y entra en funcionamiento nueva capacidad, las subidas de precios se ralentizarán aún más en el primer trimestre de 2027.

Bernstein prevé que la escasez de memoria continúe en 2027 y que los precios se mantengan altos, pero los topes de precios de los acuerdos a largo plazo y los elevados costes de memoria que soportan las aplicaciones de IA y las que no son de IA reducirán el margen para nuevas subidas.
La firma considera que la demanda de SSD empresariales podría mantener la escasez de NAND durante la mayor parte de 2027, pero el debilitamiento de los precios de las obleas y la ralentización de las subidas en el segmento móvil también indican que la escasez de NAND podría ser menos grave que la de DRAM y que los precios podrían tocar techo antes. La presión competitiva derivada del crecimiento de YMTC hace que la firma sea más prudente respecto a las perspectivas a largo plazo de NAND.