¿En qué fase se encuentra la DRAM de sexta generación de Changxin?

  • Changxin Technology declaró en su presentación de resultados del tercer trimestre celebrada el 30 de octubre que su plataforma tecnológica de proceso DRAM de sexta generación, basada en una arquitectura 4F², había completado la verificación de muestras de ingeniería. También fue la primera vez que la empresa confirmó que la plataforma de sexta generación utiliza una arquitectura 4F².
  • Según la práctica del sector descrita en el material, completar la verificación de muestras de ingeniería significa que los indicadores principales de rendimiento de la plataforma han alcanzado las expectativas de diseño en obleas reales. Aún debe completarse la validación por parte de los clientes antes de entrar en producción a gran escala.

¿Por qué son optimistas las instituciones sobre el ciclo del sector de la memoria?

  • Las instituciones consideran que, mientras crece la demanda de IA, los fabricantes originales extranjeros están orientando su capacidad y sus planes de expansión hacia productos con mayores márgenes brutos, como DDR5 y HBM, y abandonando productos de nicho como DDR4. Se espera que los precios de los productos relacionados con DRAM sigan subiendo.
  • El mercado mundial de DRAM está muy concentrado. Según datos de CFM Flash Memory, en el segundo trimestre de 2025, las cuotas de mercado de SK hynix, Samsung y Micron fueron del 38,2%, 33,5% y 22,0%, respectivamente. El material afirma que ChangXin Memory Technologies es la única empresa nacional que ha logrado un avance a gran escala.
  • En un contexto de recortes de producción o interrupciones del suministro por parte de los grandes fabricantes extranjeros, las instituciones consideran que la oferta y la demanda de memoria podrían seguir ajustadas y que los fabricantes nacionales podrían beneficiarse. Esta evaluación también depende de que continúen el crecimiento de la demanda y los ajustes de capacidad de los fabricantes originales.

¿Cómo ha cambiado el rendimiento de los productos actuales de Changxin?

  • Según el material, la LPDDR5X de ChangXin Memory Technologies ofrece capacidades por chip de 12 Gb y 16 Gb, con una velocidad máxima de 10667 Mbps, un aumento del 66% frente a la LPDDR5 de la generación anterior. El consumo de energía se reduce un 30% y el producto también es compatible con LPDDR5.
  • Estas mejoras responden a las necesidades de rendimiento y consumo energético de los teléfonos móviles de gama alta. La verificación de ingeniería de la plataforma 4F² de sexta generación corresponde a otro avance tecnológico que aún se encuentra en una fase previa a la producción en masa.