Inti utamaPlatform teknologi Changxin mencatat kemajuan dalam pengesahan kejuruteraan, manakala pandangan institusi terhadap kitaran pengeluar memori domestik berasaskan kesan gabungan pertumbuhan permintaan AI dan pelarasan kapasiti produk oleh pengeluar asal luar negara.
Sejauh manakah kemajuan DRAM generasi keenam Changxin?
- Changxin Technology menyatakan pada taklimat prestasi suku ketiganya pada 30 Oktober bahawa platform teknologi proses DRAM generasi keenam berasaskan seni bina 4F² telah menyelesaikan pengesahan sampel kejuruteraan. Ini juga kali pertama syarikat mengesahkan bahawa platform generasi keenam itu menggunakan seni bina 4F².
- Menurut amalan industri yang diterangkan dalam bahan tersebut, selesainya pengesahan sampel kejuruteraan bermakna penunjuk prestasi teras platform telah memenuhi jangkaan reka bentuk pada wafer sebenar. Pengesahan oleh pelanggan masih perlu diselesaikan sebelum ia boleh memasuki pengeluaran besar-besaran.
Mengapakah institusi optimis terhadap kitaran industri memori?
- Institusi berpendapat bahawa ketika permintaan AI meningkat, pengeluar asal luar negara mengalihkan kapasiti dan tumpuan pengembangan kapasiti kepada produk bermargin kasar lebih tinggi seperti DDR5 dan HBM, serta keluar daripada produk khusus seperti DDR4. Harga produk berkaitan DRAM dijangka terus meningkat.
- Pasaran DRAM global sangat tertumpu. Menurut data CFM Flash Memory, pada suku kedua 2025, bahagian pasaran SK hynix, Samsung dan Micron masing-masing ialah 38.2%, 33.5% dan 22.0%. Bahan tersebut menyatakan bahawa hanya ChangXin Memory Technologies telah mencapai kejayaan pada skala besar di dalam negara.
- Ketika pengeluar besar luar negara mengurangkan pengeluaran atau menghentikan bekalan, institusi menjangka bekalan dan permintaan memori mungkin terus ketat dan pengeluar domestik berpotensi mendapat manfaat. Pandangan ini turut bergantung pada pertumbuhan permintaan dan pelarasan kapasiti pengeluar asal yang berterusan.
Apakah perubahan prestasi produk sedia ada Changxin?
- Menurut bahan tersebut, LPDDR5X ChangXin Memory Technologies menawarkan kapasiti setiap cip sebanyak 12Gb dan 16Gb, dengan kelajuan maksimum 10667Mbps. Kelajuannya meningkat 66% berbanding LPDDR5 generasi sebelumnya, penggunaan kuasanya berkurang 30%, dan ia juga serasi dengan LPDDR5.
- Penambahbaikan ini memenuhi keperluan prestasi dan penggunaan kuasa telefon pintar utama. Pengesahan kejuruteraan platform 4F² generasi keenam pula merupakan satu lagi kemajuan teknologi yang masih pada peringkat sebelum pengeluaran besar-besaran.