Em que estágio está a DRAM de sexta geração da Changxin?

  • A Changxin Technology afirmou em sua apresentação de resultados do terceiro trimestre, realizada em 30 de outubro, que sua plataforma tecnológica de processo DRAM de sexta geração, baseada na arquitetura 4F², concluiu a verificação de amostras de engenharia. Foi também a primeira vez que a empresa confirmou que a plataforma de sexta geração usa a arquitetura 4F².
  • Segundo a prática do setor descrita no material, a conclusão da verificação de amostras de engenharia significa que os principais indicadores de desempenho da plataforma atingiram as expectativas de projeto em wafers reais. Ainda é necessário concluir a validação pelos clientes antes de entrar na fase de produção em escala.

Por que as instituições estão otimistas com o ciclo do setor de memória?

  • As instituições consideram que, enquanto a demanda por IA cresce, os fabricantes originais estrangeiros estão direcionando capacidade e esforços de expansão para produtos com margens brutas mais altas, como DDR5 e HBM, e deixando produtos de nicho, como DDR4. A expectativa é de que os preços dos produtos relacionados a DRAM continuem subindo.
  • O mercado global de DRAM é altamente concentrado. Segundo dados da CFM Flash Memory, no segundo trimestre de 2025, as participações de mercado de SK hynix, Samsung e Micron eram de 38,2%, 33,5% e 22,0%, respectivamente. O material afirma que, no mercado nacional, apenas a ChangXin Memory Technologies alcançou um avanço em grande escala.
  • Em meio a cortes de produção ou à interrupção do fornecimento por grandes fabricantes estrangeiros, as instituições avaliam que a oferta e a demanda de memória podem continuar restritas e que os fabricantes nacionais podem se beneficiar. Essa avaliação também depende da continuidade do crescimento da demanda e dos ajustes de capacidade dos fabricantes originais.

Quais foram as mudanças de desempenho dos produtos atuais da Changxin?

  • O material informa que a LPDDR5X da ChangXin Memory Technologies oferece capacidades por chip de 12 Gb e 16 Gb, com velocidade máxima de 10667 Mbps, aumento de 66% em relação à LPDDR5 da geração anterior. O consumo de energia é 30% menor e o produto também é compatível com LPDDR5.
  • Essas melhorias atendem às necessidades de desempenho e consumo de energia de celulares topo de linha. A verificação de engenharia da plataforma 4F² de sexta geração corresponde a outro avanço tecnológico, ainda em estágio anterior à produção em massa.