Главный выводТехнологическая платформа Changxin продвинулась на этапе инженерной проверки, а оценка отраслевого цикла для отечественных производителей памяти со стороны инвестиционных организаций основана на совместном действии роста спроса на ИИ и изменения производственных мощностей зарубежными производителями.
На каком этапе находится DRAM шестого поколения Changxin?
- На встрече по итогам третьего квартала 30 октября Changxin Technology сообщила, что технологическая платформа производства DRAM шестого поколения на основе архитектуры 4F² прошла проверку инженерных образцов. Компания также впервые подтвердила использование архитектуры 4F² в платформе шестого поколения.
- Согласно описанной в материале отраслевой практике, завершение проверки инженерных образцов означает, что ключевые показатели производительности платформы на реальных пластинах соответствуют проектным ожиданиям. До перехода к массовому производству ещё необходимо пройти проверку у клиентов.
Почему инвестиционные организации оптимистично оценивают цикл рынка памяти?
- По мнению инвестиционных организаций, на фоне роста спроса на ИИ зарубежные производители перенаправляют мощности и усилия по их расширению на продукты с более высокой валовой маржой, такие как DDR5 и HBM, и уходят из нишевых сегментов, таких как DDR4. Ожидается, что цены на продукцию, связанную с DRAM, продолжат расти.
- Мировой рынок DRAM отличается высокой концентрацией. По данным CFM Flash Memory, во втором квартале 2025 года доли рынка SK hynix, Samsung и Micron составляли соответственно 38,2%, 33,5% и 22,0%. В материале говорится, что среди отечественных компаний только ChangXin Memory Technologies добилась прорыва в масштабном производстве.
- На фоне сокращения производства или прекращения поставок крупными зарубежными компаниями инвестиционные организации полагают, что ситуация с предложением и спросом на память может оставаться напряжённой, а отечественные производители могут выиграть. Эта оценка также зависит от продолжения роста спроса и корректировки мощностей производителями.
Как изменились характеристики существующих продуктов Changxin?
- Согласно материалу, LPDDR5X компании ChangXin Memory Technologies предлагается с ёмкостью одного кристалла 12 Гбит и 16 Гбит и максимальной скоростью 10667 Мбит/с. Скорость на 66% выше, чем у LPDDR5 предыдущего поколения, энергопотребление ниже на 30%, а продукт также совместим с LPDDR5.
- Эти улучшения отвечают требованиям флагманских мобильных телефонов к производительности и энергопотреблению. Инженерная проверка платформы 4F² шестого поколения представляет собой отдельное технологическое достижение, которое всё ещё находится на этапе до начала массового производства.