Citi: Nhóm phân tích nâng dự báo nguồn cung bộ nhớ, dự kiến thiếu hụt DRAM và NAND thu hẹp trong năm 2027

Khi nguồn cung tăng, khoảng thiếu hụt dự kiến thu hẹp bao nhiêu?

Dựa trên kết quả kinh doanh quý ba của các nhà sản xuất bộ nhớ và dự báo nguồn cung mới nhất, Citi hạ dự báo thiếu hụt cung cầu DRAM năm 2027 từ 8,7% xuống 3,8%, và thiếu hụt NAND từ 6,1% xuống 3,3%.
Citi dự kiến nguồn cung DRAM tính theo bit tăng 24% so với cùng kỳ trong năm 2027, cao hơn dự báo trước đó là 19%; nguồn cung NAND tính theo bit tăng 22%, nhỉnh hơn mức dự báo trước đó là 21%. Dự báo tăng trưởng nhu cầu của hai loại lần lượt giảm từ 30% và 29% xuống 28% và 26%.

Về phía cung, Citi dự kiến nguồn cung DRAM tính theo bit của Samsung và SK hynix trong năm 2027 lần lượt tăng 22% và 28%, nhờ việc nâng công suất quy trình 1cnm.
Nhu cầu phân hóa rõ rệt: Citi dự kiến nhu cầu DRAM máy chủ tăng 53% so với cùng kỳ trong năm 2027, còn nhu cầu DRAM điện thoại giảm 11%. Dù dự báo tăng trưởng nguồn cung cao hơn kỳ vọng, tỷ lệ nguồn cung đáp ứng nhu cầu bộ nhớ hiện vẫn khoảng 70%.

Nhu cầu NAND tiêu dùng yếu hơn dự kiến của Citi, khiến ngân hàng này hạ dự báo tăng trưởng tổng nhu cầu năm 2027; đồng thời, các nhà cung cấp đang nâng cấp quy trình để đáp ứng nhu cầu ổ cứng thể rắn doanh nghiệp (eSSD) gia tăng.
Citi dự kiến nhu cầu eSSD tăng 52% so với cùng kỳ trong năm 2027, với một yếu tố hỗ trợ là dung lượng lưu trữ trên mỗi thiết bị tăng 38% so với cùng kỳ.

Citi nâng dự báo tốc độ tăng chi tiêu vốn DRAM so với cùng kỳ trong năm 2027 từ 52% lên 55%, và NAND từ 34% lên 35%; đồng thời dự kiến hai khoản này tiếp tục tăng lần lượt 52% và 34% trong năm 2028.
Citi cho rằng các nhà cung cấp đang dùng thỏa thuận dài hạn để tăng khả năng dự đoán lợi nhuận trung và dài hạn, do đó dự kiến tình trạng thiếu hụt sẽ tiếp diễn. Tuy nhiên, nếu nhu cầu không xuất hiện như kỳ vọng sau khi mở rộng công suất, nguồn cung bit dư thừa có thể dẫn đến điều chỉnh hàng tồn kho và giảm giá.