追加股息和庫藏股的空間從何而來？

  • 美銀將股東回報視為近期催化劑：海力士近期進行40萬億韓元庫藏股後，可能追加特別年終現金股息；三星則可能啟動新一輪庫藏股。兩家公司可能在10月28至29日法說會上討論相關安排，目前均未公布新方案。
  • 支撐判斷的是現金流與估值的組合。按美銀對2026年第四季的年化自由現金流口徑，海力士和三星分別超過200萬億、300萬億韓元，對應潛在年度股東回報分別超過100萬億、150萬億韓元。這是以當季運行水準折算的年度規模。
  • 美銀假設海力士庫藏股與股息占比為60:40，三星為40:60，差異來自股東結構。該行同時指出，多數DRAM公司按2026至2027年獲利計算的本益比約為3至5倍，低於更廣泛的AI半導體同業。

為何美銀認為本輪循環有別於2018年？

  • 關鍵差別在供給配置與庫存。產能轉向HBM和伺服器DRAM，推高傳統DRAM價格；目前通路庫存普遍偏低，而2018年第四季雲端運算熱潮後庫存異常高。美銀據此預計，記憶體供給相對需求偏緊的狀態可能延續至2028年。
  • 長期訂單也提供支撐。美銀預計三星即使在長期協議下，季度合約價仍有上漲空間，並將持續取得以高價交付至2029至2030年的長期訂單；其偏樂觀判斷建立在供給緊張和長期採購持續的基礎上。

兩家韓廠的HBM成長路徑有何不同？

  • 海力士的重點是12層HBM4放量。美銀預計，到2026年第四季末，該產品將占其HBM銷售額的50%以上；新增8層HBM4生產則取決於輝達是否支付約10%的每位元溢價，或其利潤率能否高於12層產品。客戶需求要轉化為增量供給，價格和利潤率是門檻。
  • 三星的重點是提升HBM市占率，並優先擴張12層HBM4、隨後於2027年推進HBM4e，而非擴大8層HBM產能。其1c製程轉移也將以HBM為重心，配合平澤P4加快產能爬坡和P5建設，擴產方向集中在高階產品。

價格和出口數據都支持樂觀判斷嗎？

  • DRAM仍強：DDR5現貨價自10月至報告發布時上漲5%至6%；正在談判的第四季DRAM合約價，大致符合美銀季增5%至10%或更高的預期，高階LPDDR5領漲。現貨走強與合約談判方向一致，是該行看好後續業績展望的依據。
  • NAND明顯較弱。美銀預計PC和智慧型手機NAND合約價漲幅很小，企業級SSD則可上漲中個位數百分比。512Gb NAND晶圓現貨月均價在9月和10月各跌約5%至6%，價格處於高位與繼續漲價是兩回事。
  • 出口同樣有兩面：韓國10月前20天半導體出口為275億美元，年增222.5%，但較9月同期下降19%。年增率仍強支持景氣判斷，月比回落則限制了對短期動能持續加速的解讀。