Temel çıkarımChangxin’in teknoloji platformu mühendislik doğrulamasında ilerleme kaydederken kurumların yerli bellek üreticilerine ilişkin döngü değerlendirmesi, yapay zekâ talebindeki büyüme ile yurt dışındaki asıl üreticilerin ürün kapasitesini ayarlamasının ortak etkisine dayanıyor.
Changxin’in altıncı nesil DRAM’i hangi aşamada?
- Changxin Technology, 30 Ekim tarihli üçüncü çeyrek sonuçları toplantısında, 4F² mimarisine dayalı altıncı nesil DRAM süreç teknolojisi platformunun mühendislik numunesi doğrulamasını tamamladığını açıkladı. Şirket böylece altıncı nesil platformun 4F² mimarisini kullandığını da ilk kez doğruladı.
- Materyalde açıklanan sektör uygulamasına göre mühendislik numunesi doğrulamasının tamamlanması, platformun temel performans göstergelerinin gerçek yongakıranlar üzerinde tasarım beklentilerini karşıladığı anlamına geliyor. Ölçekli seri üretime geçilebilmesi için müşteri tarafındaki doğrulamanın da tamamlanması gerekiyor.
Kurumlar bellek sektörünün döngüsü konusunda neden iyimser?
- Kurumlara göre yapay zekâ talebi artarken yurt dışındaki asıl üreticiler kapasitelerini ve kapasite artırma çalışmalarının odağını DDR5 ve HBM gibi brüt marjı daha yüksek ürünlere kaydırıyor ve DDR4 gibi niş ürünlerden çekiliyor. DRAM ile ilgili ürünlerin fiyatlarının yükselmeye devam etmesi bekleniyor.
- Küresel DRAM pazarı oldukça yoğunlaşmış durumda. CFM Flash Memory verilerine göre 2025 yılının ikinci çeyreğinde SK hynix, Samsung ve Micron’un pazar payları sırasıyla %38,2, %33,5 ve %22,0 oldu. Materyalde, ülkede yalnızca ChangXin Memory Technologies’in ölçekli üretimde atılım gerçekleştirdiği belirtiliyor.
- Yurt dışındaki büyük üreticilerin üretimi azaltması veya tedariki durdurması ortamında kurumlar, bellek arz ve talebindeki sıkışıklığın sürebileceğini ve yerli üreticilerin bundan yararlanabileceğini değerlendiriyor. Bu değerlendirme, talep büyümesinin ve asıl üreticilerin kapasite ayarlamalarının devam etmesine de bağlı.
Changxin’in mevcut ürünlerinin performansı nasıl değişti?
- Materyale göre ChangXin Memory Technologies’in LPDDR5X ürünü, tek yonga başına 12 Gb ve 16 Gb olmak üzere iki kapasite seçeneği sunuyor. Azami hızı 10667 Mbps olan ürün, önceki nesil LPDDR5’e göre %66 daha hızlı, güç tüketimi %30 daha düşük ve LPDDR5 ile uyumlu.
- Bu iyileştirmeler, amiral gemisi cep telefonlarının performans ve güç tüketimi ihtiyaçlarına yönelik. Altıncı nesil 4F² platformunun mühendislik doğrulaması ise henüz seri üretim öncesi aşamada olan ayrı bir teknolojik gelişme.
