長鑫的第六代DRAM進展到哪一步？

  • 長鑫科技在10月30日的第三季業績說明會上表示，基於4F²架構的第六代DRAM製程技術平台已完成工程樣品驗證。這也是公司首次確認第六代平台採用4F²架構。
  • 按照資料所述的產業實務，工程樣品驗證完成，意味著平台核心效能指標已在實際晶圓上達到設計預期；後續仍需完成客戶端驗證，才能進入大規模量產階段。

為什麼機構看好記憶體景氣循環？

  • 機構認為，AI需求增長的同時，海外原廠將產能和擴產重點轉向毛利較高的DDR5、HBM等產品，並退出DDR4等利基產品，DRAM相關產品價格有望持續上漲。
  • 全球DRAM市場集中度很高。根據CFM閃存數據，2025年第二季，SK海力士、三星和美光的市占率分別為38.2%、33.5%和22.0%；資料稱，國內僅長鑫存儲實現規模化突破。
  • 在海外大廠減產或停止供貨的背景下，機構判斷記憶體供需可能持續偏緊，國內廠商有望受惠。這項判斷同時取決於需求增長和原廠產能調整能否延續。

長鑫現有產品有哪些效能變化？

  • 資料稱，長鑫存儲LPDDR5X提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率為10667Mbps，較上一代LPDDR5提升66%，功耗降低30%，並可相容LPDDR5。
  • 這些改進針對行動旗艦手機的效能和功耗需求；第六代4F²平台的工程驗證，則是另一項仍處於量產前階段的技術進展。