供應增加後，缺口預計收窄多少？

  • 結合記憶體廠商第三季業績和最新供應指引，花旗將2027年DRAM供需缺口預測從8.7%下調至3.8%，NAND缺口從6.1%下調至3.3%。
  • 花旗預計，2027年DRAM供應位元量年增24%，高於此前預測的19%；NAND供應位元量增長22%，略高於此前的21%。兩者需求增速預測則分別從30%和29%降至28%和26%。

為何花旗仍預計DRAM短缺？

  • 供給端，花旗預計三星和SK海力士2027年DRAM位元供應分別增長22%和28%，驅動力是1cnm製程產能爬坡。
  • 需求分化明顯：花旗預計2027年伺服器DRAM需求年增53%，手機DRAM需求則下降11%。儘管供應增長指引高於預期，目前記憶體供需滿足率仍約為70%。

NAND需求的增長點在哪裡？

  • 消費級NAND需求弱於花旗預期，促使該行下調2027年整體需求增長預測；與此同時，供應商正推進製程迭代，以應對企業級固態硬碟（eSSD）需求增長。
  • 花旗預計2027年eSSD需求年增52%，其中一項支撐因素是單台設備的儲存容量年增38%。

資本支出上升會如何影響供需判斷？

  • 花旗將2027年DRAM資本支出年增速預測從52%上調至55%，NAND從34%上調至35%；並預計2028年兩者將繼續分別增長52%和34%。
  • 花旗認為，供應商正透過長期協議爭取中長期獲利可見度，因此預計短缺將持續。但如果擴產後需求未如預期出現，過剩的位元供應可能導致庫存調整和價格下跌。