长鑫的第六代DRAM走到了哪一步？

  • 长鑫科技在10月30日的第三季度业绩交流会上表示，基于4F²架构的第六代DRAM工艺技术平台已完成工程样片验证。这也是公司首次确认第六代平台采用4F²架构。
  • 按照材料所述的产业实践，工程样片验证完成，意味着平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期；后续还需完成客户端验证，才能进入规模量产阶段。

为什么机构看好存储景气周期？

  • 机构认为，AI需求增长的同时，海外原厂将产能和扩产重点转向毛利较高的DDR5、HBM等产品，并退出DDR4等利基产品，DRAM相关产品价格有望持续上涨。
  • 全球DRAM市场集中度很高。根据CFM闪存数据，2025年第二季度，SK海力士、三星和美光的市场份额分别为38.2%、33.5%和22.0%；材料称，国内仅长鑫存储实现规模化突破。
  • 在海外大厂减产或停供的背景下，机构判断存储供需可能持续偏紧，国内厂商有望受益。这个判断同时取决于需求增长和原厂产能调整的延续。

长鑫现有产品有哪些性能变化？

  • 材料称，长鑫存储LPDDR5X提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率为10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，功耗降低30%，并可兼容LPDDR5。
  • 这些改进面向移动旗舰手机对性能和功耗的需求；第六代4F²平台的工程验证，则对应另一项仍处于量产前阶段的技术进展。