野村
野村：美国数据中心审批可能放缓，2028年存储需求面临时点风险
野村认为美国联邦层面暂停建设的可能性较低，但部分州的许可政策可能推迟2028年投运的项目。科技公司提高现有设施利用率、采购已获许可的项目，以及存储厂商调整供给，有望缓冲影响。
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存储芯片
跟踪 DRAM 和 NAND 的供给、价格与厂商盈利。
专题研报
Bernstein
Bernstein：服务器需求支撑存储涨价，NAND晶圆现货却加速下跌
10月合约数据指向2026年四季度常规DRAM价格环比上涨8.3%；Bernstein预计，企业级SSD将推动整体NAND涨价约15%，但消费端疲弱已显现在晶圆现货价格上。
摩根大通
摩根大通：存储芯片供需仍紧，消费需求与股价承压
三季度DRAM涨价超出摩根大通预期，HBM提价谈判也取得进展；但PC和手机需求走弱，AI融资疑虑令存储股短期承压。
花旗
花旗：上调存储供应预测，2027年DRAM和NAND缺口料收窄
花旗预计，2027年DRAM和NAND供需缺口将分别收窄至3.8%和3.3%。服务器需求仍强，但手机DRAM与消费级NAND需求走弱，供应商也在提高产出和资本开支。
野村
野村：云业务利润增长与现金流承压并存，存储芯片需求仍受投资支撑
三大云服务商收入增速加快、部分业务利润率上升，但数据中心建设支出先行，科技巨头自由现金流承压。野村认为融资可缓解短期现金压力，长期仍须关注算力供过于求。
高盛
高盛：铠侠四季度增速放缓，仍看好NAND长期供需
铠侠预计部分企业级SSD出货推迟至2027年初，导致四季度收入增幅低于高盛对韩国同行的预期；但其2027年产能已基本售罄，长期协议延伸至2028年以后。
高盛
高盛：存储芯片涨价分化：PC供给收紧，手机与NAND买盘趋谨慎
TrendForce预计2026年四季度PC DRAM价格涨幅高于高盛预期，服务器DRAM大致相符；手机DRAM和NAND则受到库存及采购意愿约束。
财联社
长鑫第六代DRAM完成工程样片验证，存储涨价逻辑如何传导？
长鑫科技首次确认第六代DRAM技术平台采用4F²架构并完成工程样片验证；机构同时看好海外原厂产能转向高端产品后，国内存储厂商受益于景气周期。
野村
野村：AI投资挤压科技巨头现金流，为何看好存储芯片
四大科技公司的AI资本开支持续上升，野村测算其2027年自由现金流对投资增速高度敏感；与此同时，存储厂商的盈利持续性与低估值成为该行看好行业的理由。
存储、光连接与PCB齐涨：AI需求如何改变三条产业链？
长上下文推理拉高存储需求，光架构升级抬升连接器价值，PCB厂商则开始把涨价传导到毛利率；三条链的业绩兑现节奏并不相同。
科技晨报：内存涨价提振海力士，硬盘与数据中心设备财报分化
SK海力士靠内存价格超预期，希捷的出货量和买方预期形成约束；Vertiv大幅上调全年增长指引，GE Vernova现金流强劲但新增燃气合同放缓。
高盛
高盛：存储涨价或延续至2028年：HBM需求扩散，新增产能仍受限
TrendForce预计，服务器需求和有限的供给增量将支撑DRAM价格继续上涨；2027年HBM均价同比或翻倍以上，但长期协议和消费需求疲弱会约束普通DRAM涨幅。
高盛
高盛：存储供给难以快速扩张，TrendForce预计HBM价格2027年翻倍
TrendForce预计服务器需求和有限的新增供给将支撑DRAM涨价至2028年上半年；HBM均价2027年同比上涨122%，但长期协议和消费需求疲弱会影响涨价节奏。
美银
美银：存储涨价出现分化，看好韩厂追加股东回报
DRAM价格继续走强，消费级NAND却趋于平淡。美银认为，供给向HBM和服务器倾斜、渠道库存偏低，有助于延长景气周期；海力士与三星的现金流增长，则可能推动追加分红和回购。
野村
野村：AI竞赛支撑存储景气，2027年长协与电力瓶颈决定兑现节奏
科技巨头开始靠外部融资填补AI投资缺口，野村仍判断竞赛将延续。2027年存储供货量和价格区间已获长协支撑，但电力延期可能先造成芯片积压，2028年供需也可能转松。
Bernstein
Bernstein：存储涨价放缓就是见顶？Bernstein拆解基数、长协与利润增量
Bernstein认为，存储价格涨幅回落仍对应历史高位的绝对提价，长协价格上限也压低了表观增速；相比之下，硬盘处于更早的上行阶段。
摩根大通
摩根大通：中国AI算力受限于供给，机器人与存储股面临不同考验
中国AI芯片采购需求强劲，但配额与HBM供应限制交付；机器人行情需要订单和部署支撑，存储股则出现股价回撤与价格走强的分化。
摩根大通
摩根大通：存储股回撤42%后，为何仍看好上行周期？
三大存储厂商股价平均回撤42%，市场开始交易2027年下行周期；摩根大通看到的却是库存紧张、订单延伸和价格坚挺。三季度业绩指引、HBM执行与股东回报成为关键。